Lingote de silicio con bajo-oxígeno para epitaxia y litografía avanzada
Fabricado específicamente para plataformas de obleas listas para epitaxia-, este lingote de silicio con bajo-oxígeno minimiza la precipitación de oxígeno, previniendo el estrés de los cristales durante el crecimiento epitaxial de CVD.
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Introducción del producto
Lingote de silicio con bajo-oxígeno para epitaxia y litografía avanzada
Fabricado específicamente para plataformas de obleas listas para epitaxia-, este lingote de silicio con bajo-oxígeno minimiza la precipitación de oxígeno, previniendo el estrés de los cristales durante el crecimiento epitaxial de CVD. La concentración controlada de oxígeno mejora el comportamiento de captación, mejorando el rendimiento del dispositivo para chips lógicos a nanoescala, unidades de aceleración ASIC y procesadores informáticos de IA. Ofrece una estabilidad excepcional en entornos de plasma de alta-energía y cámaras de oxidación térmica, y admite sistemas RTP tanto de horno discontinuo como de oblea única-. La excelente uniformidad dieléctrica y la planitud de la oblea del lingote permiten una tolerancia de alineación más fina para la litografía avanzada, incluidos los nodos basados en EUV-. Ideal para fábricas que buscan una migración-a largo plazo hacia el procesamiento por debajo de 3 nm.
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