Oblea de 6 pulgadas de diámetro interior
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Oblea de 6 pulgadas de diámetro interior

Oblea de 6 pulgadas de diámetro interior

Presentamos nuestro producto semiconductor de primera calidad: la oblea de fosfuro de indio (InP: Fe). Este producto es una oblea SI InP: Fe [100] 6- de pulgada con un espesor de 680 ±3 micrones y superficie pulida de un solo lado (P/P). Cuenta con una resistividad que va de 0,9E7 a 1,6E7 Ω·cm y cumple con los estándares SEMI.

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Introducción del producto
Introducción del producto

 

Presentamos nuestro producto semiconductor de primera calidad: la oblea de fosfuro de indio (InP: Fe). Este producto es una oblea SI InP: Fe [100] 6- de pulgada con un espesor de 680 ±3 micrones y superficie pulida por un solo lado (P/P). Cuenta con una resistividad que va de 0,9E7 a 1,6E7 Ω·cm y cumple con los estándares SEMI. Fabricada con el método de congelación de gradiente vertical (VGF), esta estructura cristalina de alta calidad es ideal para el crecimiento epitaxial, como lo demuestra su muesca estándar SEMI.
El fosfuro de indio es un material semiconductor compuesto excepcional conocido por su alta movilidad de electrones, excelente resistencia a la radiación y eficiente conductividad térmica. Estas propiedades lo hacen excepcionalmente eficaz en la fabricación de dispositivos de microondas y circuitos integrados de alta frecuencia, alta velocidad y alta potencia. Además, el fosfuro de indio encuentra amplias aplicaciones en iluminación de estado sólido, comunicaciones por microondas, comunicaciones por fibra óptica, células solares y sistemas de navegación y satélite tanto civiles como militares. Nuestros productos de fosfuro de indio están dedicados a proporcionar una base sólida para sus aplicaciones tecnológicas de vanguardia, mejorando la innovación y la eficiencia.

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Preguntas más frecuentes

 

P: ¿Para qué se utiliza el InP?

R: El fosfuro de indio se utiliza principalmente en la fabricación de dispositivos electrónicos de alta velocidad y componentes optoelectrónicos, como sistemas de comunicación de fibra óptica de alta velocidad, células solares y varios tipos de láseres. Estas aplicaciones aprovechan las capacidades de transmisión de señales de alta velocidad del InP y su excelente eficiencia de conversión fotoeléctrica. La capacidad del InP para manejar altas frecuencias y convertir señales eléctricas en señales ópticas (y viceversa) de manera eficiente lo convierte en un material preferido para la tecnología de vanguardia en telecomunicaciones y energía renovable.

P: ¿Cuál es la molécula de InP?

R: La molécula de InP está formada por un átomo de indio y un átomo de fósforo. Este compuesto presenta un alto grado de simetría cristalina, lo que contribuye a sus excepcionales propiedades electrónicas y ópticas en aplicaciones de semiconductores. La estructura molecular del InP le permite crear una banda prohibida directa, lo que resulta muy beneficioso para los dispositivos que emiten luz, como los LED y los diodos láser, ya que les proporciona una alta eficiencia y una rápida capacidad operativa.

 

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