Núcleo de base de silicio de sustrato semiconductor
El núcleo de base de silicio del sustrato semiconductor proporciona una plataforma sin procesar confiable para la producción de obleas que admite tanto la fabricación de nodos heredados como las arquitecturas de dispositivos emergentes.
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Introducción del producto
Núcleo de base de silicio de sustrato semiconductor
El núcleo de base de silicio del sustrato semiconductor proporciona una plataforma sin procesar confiable para la producción de obleas que admite tanto la fabricación de nodos heredados como las arquitecturas de dispositivos emergentes. Con una estabilidad precisa de la expansión térmica, previene la deformación durante el CMP, la oxidación y la metalización. El núcleo es ideal para electrónica de potencia, sensores, circuitos integrados de cadena de señales analógicas e interfaces fotónicas de silicio-. Su integridad mecánica superior permite el corte de obleas ultra-delgadas para apilamiento-3D, TSV o envasado a nivel de oblea-. Un material altamente adaptable para diseñadores de dispositivos OEM, OSAT y fábricas.
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