511 Obleas de Silicio
Nuestro<511>Las obleas de silicio están diseñadas para aplicaciones de semiconductores especializadas que requieren las propiedades únicas del<511>Orientación del cristal. Esta orientación ofrece distintas ventajas en aplicaciones electrónicas y ópticas específicas, proporcionando un rendimiento y una precisión mejorados. Ofrecemos una gama completa de opciones de personalización para garantizar que nuestras obleas cumplan con las especificaciones exactas necesarias para los procesos de fabricación avanzados.
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Introducción del producto
Descripción general del producto
Nuestro<511>Las obleas de silicio están diseñadas para aplicaciones de semiconductores especializadas que requieren las propiedades únicas del<511>Orientación del cristal. Esta orientación ofrece distintas ventajas en aplicaciones electrónicas y ópticas específicas, proporcionando un rendimiento y una precisión mejorados. Ofrecemos una gama completa de opciones de personalización para garantizar que nuestras obleas cumplan con las especificaciones exactas necesarias para los procesos de fabricación avanzados.
Características clave
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Orientación del cristal |
<511>(adecuado para aplicaciones electrónicas y ópticas especializadas) |
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Diámetros disponibles |
2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas |
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Grados de calidad |
Cebar / Prueba / Maniquí |
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Métodos de crecimiento |
CZ (Czochralski) / FZ (Zona flotante) |
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Tipos de dopantes |
Tipo P (Boro), Tipo N (Fósforo, Arsénico, Antimonio) |
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Opciones de espesor |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, con espesores personalizados disponibles |
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Tolerancia de espesor |
Estándar ± 25 µm; Alta precisión ± 5 μm |
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Rango de resistividad |
0.001 a 100 ohmios-cm |
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Acabados superficiales |
P/E (Pulido/Grabado), P/P (Pulido/Pulido), E/E (Grabado/Grabado) |
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Variación de espesor total (TTV) |
Estándar < 10 μm; Avanzado < 5 μm |
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Arco/deformación |
Estándar < 40 μm; Avanzado < 20 μm |
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