Producción de obleas de silicio

Proceso de producción de obleas de silicio

Proporcionamos obleas de silicio de alta-calidad que respaldan la industria de los semiconductores a la vanguardia. Como material de oblea de silicio se utilizan materias primas de la más alta calidad. Las obleas se producen bajo el más estricto control de calidad para crear productos que satisfagan las necesidades del cliente en todo tipo de formas.

Fabricado con las mejores materias primas, para una calidad con la que se puede contar

Lingote monocristalino

Las obleas de silicio que suministramos están hechas de lingotes de silicio monocristalino de alta-pureza, producidos mediante el proceso de crecimiento de cristales de Czochralski (CZ). Los lingotes de hasta 300 mm de diámetro se fabrican bajo estrictos estándares de control de calidad.

Si lo requieren los clientes, también utilizamos el método Magnetic Czochralski (MCZ), que implica aplicar un fuerte campo magnético al silicio fundido, o el método Float-Zone (FZ), donde los lingotes monocristalinos se cultivan a bajos niveles de oxígeno sin el uso de un crisol de cuarzo.

Un lingote monocristalino se corta en rodajas de aproximadamente 1 mm de espesor y las superficies se pulen hasta obtener un acabado similar al de un espejo. Como resultado, las obleas quedan increíblemente planas y limpias. SUMCO también puede incorporar capacidades de captación en la oblea, lo que ayuda a capturar impurezas de metales pesados ​​que de otro modo podrían degradar las propiedades eléctricas.

Una oblea pulida se recoce a alta temperatura en una atmósfera de hidrógeno o argón, eliminando el oxígeno cerca de la superficie de la oblea. La oblea resultante tiene una perfección cristalina mejorada.

Para una calidad superior

La capa superficial de la oblea pulida se forma a partir de silicio monocristalino mediante crecimiento en fase de vapor o epitaxia.

En primer lugar, el diseño del cliente se utiliza para crear una capa de incrustación para circuitos integrados en la superficie de la oblea, utilizando técnicas como fotolitografía, implantación de iones y difusión térmica. A continuación, se forma una capa epitaxial encima de esta capa.

Se coloca una capa de óxido con excelentes propiedades de aislamiento eléctrico entre dos obleas pulidas, que luego se unen. Este proceso de unión permite la creación de dispositivos con alta integración, bajo consumo de energía, alta velocidad y confiabilidad excepcional. Además, se puede formar una capa de difusión de arsénico (As) o antimonio (Sb) en la capa activa en la superficie de la oblea.

A petición del cliente, las obleas usadas se pueden recuperar y reciclar para su reutilización.

Tipos y especificaciones de obleas